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LTE-advanceの研究もかなり増えてきて、実用的な技術が出てきていますね。
最大通信速度3Gbpsを目論むこの規格はてんこ盛り技術なので
色々と難しいこともあるので、半導体側にかなり負担がかかるように思われますね。
微細化が必須ですが、TMSCが20nmにHPC(ハイパフォーマンス)とLPC(ローパワー)を準備できないという
事実上の開発失敗になっています。
しかも、現状、Intelしか実用化できていない３次元トランジスタが当初の予定よりも早く必要になっており
これが実用化できていない現状では微細化は、かなり鈍化する可能性が高そうです。
これはクアルコムも指摘している内容で半導体のファブレスが不可能になる可能性まではらんでいる
かなり大きな問題です。
LTE-advanceには周波数帯域と半導体の大きな２つの壁が立ちふさがりそうな気がしますね。
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執筆者：はざーど
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まとめtyaiました【富士通研、LTE-Advancedの通信速度改善技術を開発】
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